В связи с ситуацией - возможны перебои с отправкой заказов.

Інтернет-магазин тимчасово не працює. Все буде Україна!

+380 (66) 200-82-47
ICishka

RJP30E2DPP-M0 / RJP30E2 TO-220FL - 360V 35A NPT IGBT транзистор

13 ₴

Показати оптові ціни
  • Немає в наявності
  • Оптом і в роздріб
RJP30E2DPP-M0 / RJP30E2 TO-220FL - 360V 35A NPT IGBT транзистор
RJP30E2DPP-M0 / RJP30E2 TO-220FL - 360V 35A NPT IGBT транзисторНемає в наявності
13 ₴
+380 (66) 200-82-47
+380 (66) 200-82-47
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

*залежно від партії відрізнятися від фото. Точно IGBT і без діода!

Характеристики
Основні
ВиробникRenesas
Країна виробникКитай
Тип транзистораТранзисторний модуль
Матеріал корпусуПластик
Максимально допустима напруга колектор-емітер360 В
Максимально допустима напруга затвор-витік30 В
Максимально допустимий струм колектора35 А
Максимальна потужність розсіювання25 Вт
Час включення0.03 мкс
Час вимикання0.08 мкс
Тип монтажуВставний
Додаткові характеристики
Вихідна ємність60 пФ
Максимальна робоча температура150 град.
Користувацькі характеристики
Станнове
Мінімальна робоча температура-55
ЯкістьCopy
Специфікація
Інформація для замовлення
  • Ціна: 13 ₴
  • Спосіб упаковки: Без власного паковання.