RJP30H1DPD / RJP30H1 TO-252 - 360V 30A NPT IGBT транзистор
30 ₴
Показати оптові ціни- Немає в наявності
- Оптом і в роздріб
RJP30H1DPD / RJP30H1 TO-252 - 360V 30A NPT IGBT транзисторНемає в наявності
30 ₴
+380 (66) 200-82-47
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Країна виробник | Китай |
| Тип транзистора | Транзисторний модуль |
| Матеріал корпусу | Пластик |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 360 В |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 30 А |
| Максимальна потужність розсіювання | 40 Вт |
| Час включення | 0.02 мкс |
| Час вимикання | 0.04 мкс |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Додаткові характеристики | |
| Вихідна ємність | 40 пФ |
| Максимальна робоча температура | 150 град. |
| Користувацькі характеристики | |
| Стан | нове |
| Мінімальна робоча температура | -55 |
| Якість | High copy |
Специфікація
Інформація для замовлення
- Ціна: 30 ₴
- Спосіб упаковки: Залежно від партії, бувають як у стрічці, так і без неї.