RJK0389DPA / K0389 6*4mm - Dual N-Channel MOSFET with Schottky Diode, 30V 15+20A
48 ₴
Показати оптові ціни- Немає в наявності
- Оптом і в роздріб
RJK0389DPA / K0389 6*4mm - Dual N-Channel MOSFET with Schottky Diode, 30V 15+20AНемає в наявності
48 ₴
+380 (66) 200-82-47
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
RJK0389DPA - Silicon N-Channel Power MOSFET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Країна виробник | Китай |
| Тип транзистора | Польовий |
| Матеріал корпусу | Пластик |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 20 А |
| Максимальна потужність розсіювання | 10 Вт |
| Час включення | 0.007 мкс |
| Час вимикання | 0.041 мкс |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Додаткові характеристики | |
| Вихідна ємність | 165 пФ |
| Мінімальна робоча температура | -50 град. |
| Максимальна робоча температура | 150 град. |
| Користувальницькі характеристики | |
| Стан | нове |
Специфікація
Інформація для замовлення
- Ціна: 48 ₴
- Спосіб упаковки: Залежно від партії, бувають як у стрічці, так і без неї.
