RJP30E2DPP-M0 / RJP30E2 TO-220FL - 360V 35A NPT IGBT транзистор
13 ₴
Показать оптовые цены- Нет в наличии
- Оптом и в розницу
RJP30E2DPP-M0 / RJP30E2 TO-220FL - 360V 35A NPT IGBT транзисторНет в наличии
13 ₴
+380 (66) 200-82-47
возврат товара в течение 14 дней по договоренности
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
*в зависимости от партии отличаться от фото. Точно IGBT и без диода!
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Renesas |
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Транзисторный модуль |
| Материал корпуса | Пластик |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 360 В |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 35 А |
| Максимальная мощность рассеивания | 25 Вт |
| Время включения | 0.03 мкс |
| Время выключения | 0.08 мкс |
| Тип монтажа | Вставной |
| Дополнительные характеристики | |
| Выходная емкость | 60 пФ |
| Максимальная рабочая температура | 150 град. |
| Пользовательские характеристики | |
| Состояние | новое |
| Минимальная рабочая температура | -55 |
| Качество | Copy |
Спецификация
Информация для заказа
- Цена: 13 ₴
- Способ упаковки: Без собственной упаковки.