RJP30H1DPD / RJP30H1 TO-252 - 360V 30A NPT IGBT транзистор
30 ₴
Показать оптовые цены- Нет в наличии
- Оптом и в розницу
RJP30H1DPD / RJP30H1 TO-252 - 360V 30A NPT IGBT транзисторНет в наличии
30 ₴
+380 (66) 200-82-47
возврат товара в течение 14 дней по договоренности
RJP30H1 360V, 30A IGBT (TO-252)
Применяются, в частности, в сварочных инверторах и плазменных телевизорах.
В зависимости от партии, может отличаться от фото.
Данная партия - IGBT без обратного диода. Без ленты.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Renesas |
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Транзисторный модуль |
| Материал корпуса | Пластик |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 360 В |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 30 А |
| Максимальная мощность рассеивания | 40 Вт |
| Время включения | 0.02 мкс |
| Время выключения | 0.04 мкс |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Дополнительные характеристики | |
| Выходная емкость | 40 пФ |
| Максимальная рабочая температура | 150 град. |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Минимальная рабочая температура | -55 |
| Качество | High copy |
Спецификация
Информация для заказа
- Цена: 30 ₴
- Способ упаковки: В зависимости от партии, бывают как в ленте, так и без неё.