IKW50N60H3 600V, 50A Highspeed IGBT in Trenchand Field stop technology
*в зависимости от партии, могут отличаться от фотографий. С обратным диодом.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon |
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Транзисторный модуль |
| Материал корпуса | Пластик |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 600 В |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 50 А |
| Максимальная мощность рассеивания | 167 Вт |
| Время включения | 0.023 мкс |
| Время выключения | 0.235 мкс |
| Тип монтажа | Вставной |
| Дополнительные характеристики | |
| Выходная емкость | 50 пФ |
| Минимальная рабочая температура | -40 град. |
| Максимальная рабочая температура | 175 град. |
| Пользовательские характеристики | |
| Состояние | Refurbished |
| Качество | High copy |
Спецификация
Информация для заказа
- Цена: 50 ₴
- Способ упаковки: Без собственной упаковки.









