
RJK0389DPA / K0389 6*4mm - Dual N-Channel MOSFET with Schottky Diode, 30V 15+20A
48 ₴
Показать оптовые цены- Нет в наличии
- Оптом и в розницу
+380 (66) 200-82-47
возврат товара в течение 14 дней по договоренности
RJK0389DPA - Silicon N-Channel Power MOSFET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Renesas |
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Полевой |
| Материал корпуса | Пластик |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимый ток стока | 20 А |
| Максимальная мощность рассеивания | 10 Вт |
| Время включения | 0.007 мкс |
| Время выключения | 0.041 мкс |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Дополнительные характеристики | |
| Выходная емкость | 165 пФ |
| Минимальная рабочая температура | -50 град. |
| Максимальная рабочая температура | 150 град. |
| Пользовательские характеристики | |
| Состояние | новое |
Спецификация
Информация для заказа
- Цена: 48 ₴
- Способ упаковки: В зависимости от партии, бывают как в ленте, так и без неё.



