Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
Это точно настоящие IGBT, а не перемаркированные мосфеты, как многие часто продают!
*могут отличаться от фотографии в зависимости от партии
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Renesas |
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Транзисторный модуль |
| Материал корпуса | Пластик |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 360 В |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 30 А |
| Максимальная мощность рассеивания | 20 Вт |
| Время включения | 0.08 мкс |
| Время выключения | 0.15 мкс |
| Тип монтажа | Вставной |
| Дополнительные характеристики | |
| Максимальная рабочая температура | 150 град. |
| Пользовательские характеристики | |
| Состояние | Hовое |
| Минимальная рабочая температура | -55 |
| Качество | Copy |
Спецификация
Информация для заказа
- Цена: 26 ₴
- Способ упаковки: Без собственной упаковки.





